白荊回廊-卯絨絨
| 基礎(chǔ)屬性 | |||
|---|---|---|---|
| 基礎(chǔ)減傷 | 0% | 暴擊率 | 5% |
| 射程 | 極遠 | ||
| 戰(zhàn)術(shù)移動 | 10秒冷卻 | ||
| 專精影響分支 | 增傷 | ||
| 位階 | 體質(zhì)加成 | 攻擊加成 | 專精加成 |
| S0 | 58% | 108% | 95% |
| S1 | 64% | 119% | 103% |
| S2 | 67% | 124% | 108% |
| S3 | 79% | 147% | 126% |
| S4 | 88% | 164% | 139% |
| S5 | 91% | 170% | 144% |
| S6 | 94% | 175% | 148% |
| 體能特訓加成 | |||
|---|---|---|---|
| 項目 | 提升屬性 | 提升數(shù)值 | |
| 項目I | 階段I | 基礎(chǔ)體質(zhì) | 5% |
| 階段II | 基礎(chǔ)體質(zhì) | 5% | |
| 項目II | 階段I | 基礎(chǔ)攻擊 | 10% |
| 階段II | 基礎(chǔ)攻擊 | 10% | |
| 項目III | 階段I | 基礎(chǔ)專精 | 10% |
| 階段II | 基礎(chǔ)專精 | 5% | |
| 漫巡初始技能 | ||
|---|---|---|
| 主場擴大創(chuàng)造的水元素地形范圍擴大20%（等級1時）/40%（等級2時）/60%（等級3時）核心充能·三角·α型初始異核充能回復12（等級1時）/18（等級2時）/24（等級3時）秒，位于【干燥環(huán)境】時，提升幅度翻倍。和【核心充能·三角·β型】不疊加干燥環(huán)境：水元素地形蒸發(fā)速度加快，炎元素地形消失速度減緩敵人受到炎元素攻擊時，有幾率在腳下產(chǎn)生炎元素地形部分刻印技能在干燥環(huán)境下能發(fā)揮更強的效果 | ||
| 漫巡技能上限解鎖位階 | ||
| 位階 | 技能1 | 技能2 |
| S0 | 1級? | - |
| S1 | 1級? | 1級?↑ |
| S2 | 1級? | 2級?↑ |
| S3 | 2級?↑ | 2級? |
| S4 | 3級?↑ | 2級? |
| S5 | 3級? | 3級?↑ |
| 蝕刻初始屬性 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 位階 | 作為隊長時蝕刻初始屬性 | ||||
| 體質(zhì) | 防御 | 攻擊 | 專精 | 終端 | |
| S0 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 |
| S1 | 69 | 80 | 95 | 82 | 82 |
| S2 | 86 | 120 | 166 | 126 | 126 |
| S3 | 86 | 120 | 166 | 126 | 126 |
| S4 | 95 | 140 | 201 | 148 | 148 |
| S5 | 104 | 160 | 236 | 170 | 170 |
| S6 | 104 | 160 | 236 | 170 | 170 |
| 穹頂技能 | |
|---|---|
| 名稱 | 定班提速線+++ |
| 效果 | 在高級研發(fā)室早班，耗時-15% |
| 大角出場主動技能 | LV12朝指定方向?qū)挾?00范圍內(nèi)的所有目標噴射高壓水槍，總計造成2500%最終攻擊的水元素傷害，并攔截敵方投射物「蓄水充盈」狀態(tài)下額外效果施放技能期間獲得額外100%的專精加成且不消耗技能使用次數(shù)（施放后失去「蓄水充盈」狀態(tài)） |
|---|
| 抖包袱主動技能 | LV12被動：每隔15秒向指定目標發(fā)射蓄水彈，對目標及其半徑200范圍內(nèi)最多5名敵人造成1125%最終攻擊的水元素傷害僅「蓄水充盈」狀態(tài)下可主動施放：主動：選擇目標點施放，有效半徑擴大至400，攻擊區(qū)域內(nèi)的所有敵人，并在施放期間獲得額外100%的專精加成，之后在目標點生成水元素區(qū)域（施放后失去「蓄水充盈」狀態(tài)） |
|---|
| 群英薈萃異核技能 | LV6用高壓水槍持續(xù)沖擊半徑400范圍的區(qū)域并留下水元素區(qū)域，沖擊到目標時預計總計造成6000%最終攻擊的水元素傷害，并攔截敵方投射物 |
|---|
| 看茶送客戰(zhàn)斗特性 | 看茶送客戰(zhàn)斗特性普通攻擊射程1200攻擊速度0.50次每秒單體 對空向當前目標發(fā)射水彈造成200%最終攻擊的水元素傷害戰(zhàn)斗特性戰(zhàn)斗開始時進入「蓄水充盈」狀態(tài)，該狀態(tài)下技能【大角出場】【抖包袱】獲得增強，并在主動施放后失去「蓄水充盈」狀態(tài)每隔30秒可重新獲得「蓄水充盈」狀態(tài)異核I級解鎖：自身處于水元素區(qū)域時，專精提升10%異核III級解鎖：場上每有一個水元素同調(diào)者，獲取「蓄水充盈」的間隔降低3秒 |
|---|
| 升階 | |
|---|---|
| 等級提升至 | 消耗材料 |
| S1 | 1600 海隅點數(shù) 4 貧質(zhì)合金 |
| S2 | 4000 海隅點數(shù) 9 自旋因子 6 原旋動力機 |
| S3 | 9600 海隅點數(shù) 6 復色基粒 4 次生裝置 6 單級磁導插件 |
| S4 | 16000 海隅點數(shù) 9 光子質(zhì) 6 次生裝置 4 二元磁導插件 |
| S5 | 24000 海隅點數(shù) 10 光子質(zhì) 5 多矩推進器 6 二元磁導插件 4 靛石 |
| S6 | 32000 海隅點數(shù) 4 相位鏈 10 多矩推進器 5 復合磁導插件 6 靛石 |
| 總計 | 87200 海隅點數(shù) 6 單級磁導插件 6 原旋動力機 9 自旋因子 4 貧質(zhì)合金 10 二元磁導插件 10 次生裝置 6 復色基粒 10 靛石 5 復合磁導插件 15 多矩推進器 19 光子質(zhì) 4 相位鏈 |
| 技能1升級 | |
|---|---|
| 等級提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅點數(shù) 100 基礎(chǔ)硅片·遠程 3 火山雪 |
| LV3 | 900 海隅點數(shù) 200 基礎(chǔ)硅片·遠程 4 自旋因子 |
| LV4 | 1200 海隅點數(shù) 300 基礎(chǔ)硅片·遠程 3 二元磁導插件 3 貧質(zhì)合金 |
| LV5 | 2400 海隅點數(shù) 100 基礎(chǔ)硅片·遠程 4 訓練芯片·遠程 4 次生裝置 |
| LV6 | 3600 海隅點數(shù) 150 基礎(chǔ)硅片·遠程 6 訓練芯片·遠程 6 星砂 |
| LV7 | 6000 海隅點數(shù) 200 基礎(chǔ)硅片·遠程 8 訓練芯片·遠程 2 光子質(zhì) 4 儲源合金 |
| LV8 | 9000 海隅點數(shù) 250 基礎(chǔ)硅片·遠程 10 訓練芯片·遠程 4 復合磁導插件 6 次生裝置 |
| LV9 | 12000 海隅點數(shù) 300 基礎(chǔ)硅片·遠程 5 訓練芯片組·遠程 6 黛晶 8 星砂 |
| LV10 | 16000 海隅點數(shù) 400 基礎(chǔ)硅片·遠程 6 訓練芯片組·遠程 2 熵化合金 4 多矩推進器 |
| LV11 | 20000 海隅點數(shù) 10 訓練芯片組·遠程 3 相位鏈 6 復合磁導插件 |
| LV12 | 30000 海隅點數(shù) 12 訓練芯片組·遠程 4 烏珀 8 穩(wěn)態(tài)合金 1 黑光 |
| 總計 | 101700 海隅點數(shù) 2000 基礎(chǔ)硅片·遠程 28 訓練芯片·遠程 33 訓練芯片組·遠程 3 火山雪 4 自旋因子 3 貧質(zhì)合金 3 二元磁導插件 10 次生裝置 14 星砂 4 儲源合金 10 復合磁導插件 4 多矩推進器 2 光子質(zhì) 6 黛晶 8 穩(wěn)態(tài)合金 3 相位鏈 4 烏珀 2 熵化合金 1 黑光 |
| 技能2升級 | |
|---|---|
| 等級提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅點數(shù) 100 基礎(chǔ)硅片·遠程 3 貧質(zhì)合金 |
| LV3 | 900 海隅點數(shù) 200 基礎(chǔ)硅片·遠程 4 原旋動力機 |
| LV4 | 1200 海隅點數(shù) 300 基礎(chǔ)硅片·遠程 3 靛石 3 自旋因子 |
| LV5 | 2400 海隅點數(shù) 100 基礎(chǔ)硅片·遠程 4 訓練芯片·遠程 4 二元磁導插件 |
| LV6 | 3600 海隅點數(shù) 150 基礎(chǔ)硅片·遠程 6 穩(wěn)態(tài)合金 6 訓練芯片·遠程 |
| LV7 | 6000 海隅點數(shù) 200 基礎(chǔ)硅片·遠程 8 訓練芯片·遠程 2 多矩推進器 4 復色基粒 |
| LV8 | 9000 海隅點數(shù) 250 基礎(chǔ)硅片·遠程 10 訓練芯片·遠程 4 黛晶 6 二元磁導插件 |
| LV9 | 12000 海隅點數(shù) 300 基礎(chǔ)硅片·遠程 5 訓練芯片組·遠程 |
| LV10 | 16000 海隅點數(shù) 400 基礎(chǔ)硅片·遠程 6 訓練芯片組·遠程 2 相位鏈 4 復合磁導插件 |
| LV11 | 20000 海隅點數(shù) 10 訓練芯片組·遠程 3 “烏云蓋雪” 6 黛晶 |
| LV12 | 30000 海隅點數(shù) 12 訓練芯片組·遠程 4 萬頃巖 8 光子質(zhì) 1 黑光 |
| 總計 | 101700 海隅點數(shù) 2000 基礎(chǔ)硅片·遠程 28 訓練芯片·遠程 33 訓練芯片組·遠程 4 原旋動力機 3 自旋因子 3 貧質(zhì)合金 10 二元磁導插件 4 復色基粒 3 靛石 4 復合磁導插件 2 多矩推進器 8 光子質(zhì) 10 黛晶 6 穩(wěn)態(tài)合金 3 “烏云蓋雪” 4 萬頃巖 2 相位鏈 1 黑光 |
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