白荊回廊-陽鈴
基礎(chǔ)屬性 | |||
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基礎(chǔ)減傷 | 5% | 暴擊率 | 5% |
射程 | 遠(yuǎn) | ||
戰(zhàn)術(shù)移動(dòng) | 10秒冷卻 | ||
專精影響分支 | 增傷 治愈 | ||
位階 | 體質(zhì)加成 | 攻擊加成 | 專精加成 |
S0 | 71% | 70% | 110% |
S1 | 78% | 77% | 120% |
S2 | 81% | 81% | 125% |
S3 | 95% | 96% | 147% |
S4 | 106% | 107% | 163% |
S5 | 110% | 112% | 169% |
S6 | 113% | 115% | 173% |
體能特訓(xùn)加成 | |||
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項(xiàng)目 | 提升屬性 | 提升數(shù)值 | |
項(xiàng)目I | 階段I | 基礎(chǔ)體質(zhì) | 5% |
階段II | 基礎(chǔ)體質(zhì) | 5% | |
項(xiàng)目II | 階段I | 基礎(chǔ)攻擊 | 5% |
階段II | 基礎(chǔ)攻擊 | 5% | |
項(xiàng)目III | 階段I | 基礎(chǔ)專精 | 15% |
階段II | 基礎(chǔ)專精 | 5% |
漫巡初始技能 | ||
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凍結(jié)延長對(duì)敵人施加【凍結(jié)狀態(tài)】時(shí),延長20%凍結(jié)狀態(tài)的時(shí)間,且使全體友方同調(diào)者獲得1層【激勵(lì)】。每10秒最多觸發(fā)一次。通過該方式獲得的激勵(lì)層數(shù)不超過4(等級(jí)1時(shí))/7(等級(jí)2時(shí))/10(等級(jí)3時(shí))層凍結(jié)狀態(tài):處于該狀態(tài)的敵方單位無法行動(dòng),并且在受到霜元素傷害時(shí),有一定幾率直接被擊敗激勵(lì):每層激勵(lì)效果提升10%傷害,最多同時(shí)生效20層※標(biāo)注為“激勵(lì)技能”的刻印技能在滿足特定條件后,能夠?yàn)樾£?duì)中的所有同調(diào)者提供激勵(lì)效果核心充能·菱形·α型初始異核充能回復(fù)12(等級(jí)1時(shí))/18(等級(jí)2時(shí))/24(等級(jí)3時(shí))秒,位于【干燥環(huán)境】時(shí),提升幅度翻倍。和【核心充能·菱形·β型】不疊加干燥環(huán)境:水元素地形蒸發(fā)速度加快,炎元素地形消失速度減緩敵人受到炎元素攻擊時(shí),有幾率在腳下產(chǎn)生炎元素地形部分刻印技能在干燥環(huán)境下能發(fā)揮更強(qiáng)的效果 | ||
漫巡技能上限解鎖位階 | ||
位階 | 技能1 | 技能2 |
S0 | 1級(jí)? | - |
S1 | 1級(jí)? | 1級(jí)?↑ |
S2 | 1級(jí)? | 2級(jí)?↑ |
S3 | 2級(jí)?↑ | 2級(jí)? |
S4 | 3級(jí)?↑ | 2級(jí)? |
S5 | 3級(jí)? | 3級(jí)?↑ |
蝕刻初始屬性 | |||||
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位階 | 作為隊(duì)長時(shí)蝕刻初始屬性 | ||||
體質(zhì) | 防御 | 攻擊 | 專精 | 終端 | |
S0 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 |
S1 | 62 | 62 | 66 | 82 | 70 |
S2 | 86 | 86 | 98 | 146 | 110 |
S3 | 86 | 86 | 98 | 146 | 110 |
S4 | 98 | 98 | 114 | 178 | 130 |
S5 | 110 | 110 | 130 | 210 | 150 |
S6 | 110 | 110 | 130 | 210 | 150 |
穹頂技能 | |
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名稱 | 提速線++ |
效果 | 在初級(jí)研發(fā)室,耗時(shí)-10% |
早春禱歌主動(dòng)技能 | LV12對(duì)全體友方同調(diào)者進(jìn)行「持續(xù)治療」,每秒治療目標(biāo)68%治愈力的生命值,持續(xù)15秒 |
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冬的挽留自動(dòng)技能 | LV12在指定位置制造半徑300范圍的暴風(fēng)雪區(qū)域,每0.5秒對(duì)區(qū)域內(nèi)的敵人造成158%最終攻擊的霜元素傷害,持續(xù)10秒 |
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鼬的報(bào)恩異核技能 | LV6持續(xù)施法對(duì)全場(chǎng)生命值百分比最低的三名友方同調(diào)者進(jìn)行治療,每秒治療目標(biāo)240%治愈力的生命值,持續(xù)6秒同時(shí)提升全場(chǎng)友方同調(diào)者30%[同調(diào)者攻擊速度],持續(xù)10秒 |
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與維瑟爾約定戰(zhàn)斗特性 | 與維瑟爾約定戰(zhàn)斗特性普通攻擊射程800攻擊速度0.60次每秒單體 對(duì)空向當(dāng)前目標(biāo)發(fā)射雪球或冰錐,造成165%最終攻擊的霜元素傷害目標(biāo)在自身近戰(zhàn)范圍內(nèi)時(shí),下次普通攻擊替換為雪鼬掃尾,造成300%最終攻擊的霜元素傷害并以1級(jí)[位移強(qiáng)度]擊退范圍內(nèi)的所有敵人 (每20秒最多觸發(fā)一次)戰(zhàn)斗特性攻擊對(duì)敵人附加移動(dòng)速度降低70%效果,持續(xù)3秒異核I級(jí)解鎖:治愈力提升25%,同時(shí)延長5秒主動(dòng)技能【早春禱歌】的持續(xù)時(shí)間異核III級(jí)解鎖:受到特性減速效果影響的單位遭受的傷害提高10% |
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升階 | |
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等級(jí)提升至 | 消耗材料 |
S1 | 1200 海隅點(diǎn)數(shù) 3 貧質(zhì)合金 |
S2 | 3000 海隅點(diǎn)數(shù) 8 蒼青薄片 5 自旋因子 |
S3 | 7200 海隅點(diǎn)數(shù) 5 靛石 3 復(fù)色基粒 5 單級(jí)磁導(dǎo)插件 |
S4 | 12000 海隅點(diǎn)數(shù) 8 黛晶 5 復(fù)色基粒 3 二元磁導(dǎo)插件 |
S5 | 18000 海隅點(diǎn)數(shù) 9 黛晶 4 光子質(zhì) 5 二元磁導(dǎo)插件 3 次生裝置 |
S6 | 24000 海隅點(diǎn)數(shù) 3 烏珀 9 光子質(zhì) 4 復(fù)合磁導(dǎo)插件 5 次生裝置 |
總計(jì) | 65400 海隅點(diǎn)數(shù) 5 單級(jí)磁導(dǎo)插件 5 自旋因子 8 蒼青薄片 3 貧質(zhì)合金 8 二元磁導(dǎo)插件 8 次生裝置 8 復(fù)色基粒 5 靛石 4 復(fù)合磁導(dǎo)插件 13 光子質(zhì) 17 黛晶 3 烏珀 |
技能1升級(jí) | |
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等級(jí)提升至 | 消耗材料 |
LV2 | 600 海隅點(diǎn)數(shù) 100 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 3 原旋動(dòng)力機(jī) |
LV3 | 900 海隅點(diǎn)數(shù) 200 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 4 蒼青薄片 |
LV4 | 1200 海隅點(diǎn)數(shù) 300 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 3 儲(chǔ)源合金 3 單級(jí)磁導(dǎo)插件 |
LV5 | 2400 海隅點(diǎn)數(shù) 100 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 4 訓(xùn)練芯片·戰(zhàn)略 4 星砂 |
LV6 | 3600 海隅點(diǎn)數(shù) 150 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 6 訓(xùn)練芯片·戰(zhàn)略 6 次生裝置 |
LV7 | 6000 海隅點(diǎn)數(shù) 200 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 8 訓(xùn)練芯片·戰(zhàn)略 2 黛晶 4 二元磁導(dǎo)插件 |
LV8 | 9000 海隅點(diǎn)數(shù) 250 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 10 訓(xùn)練芯片·戰(zhàn)略 4 穩(wěn)態(tài)合金 6 星砂 |
LV9 | 12000 海隅點(diǎn)數(shù) 300 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 5 訓(xùn)練芯片組·戰(zhàn)略 6 光子質(zhì) 8 次生裝置 |
LV10 | 16000 海隅點(diǎn)數(shù) 400 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 6 訓(xùn)練芯片組·戰(zhàn)略 |
LV11 | |
LV12 | |
總計(jì) | 51700 海隅點(diǎn)數(shù) 2000 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 28 訓(xùn)練芯片·戰(zhàn)略 11 訓(xùn)練芯片組·戰(zhàn)略 3 單級(jí)磁導(dǎo)插件 3 原旋動(dòng)力機(jī) 4 蒼青薄片 4 二元磁導(dǎo)插件 14 次生裝置 10 星砂 3 儲(chǔ)源合金 6 光子質(zhì) 2 黛晶 4 穩(wěn)態(tài)合金 |
技能2升級(jí) | |
---|---|
等級(jí)提升至 | 消耗材料 |
LV2 | 600 海隅點(diǎn)數(shù) 100 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 3 單級(jí)磁導(dǎo)插件 |
LV3 | 900 海隅點(diǎn)數(shù) 200 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 4 火山雪 |
LV4 | 1200 海隅點(diǎn)數(shù) 300 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 3 復(fù)色基粒 3 蒼青薄片 |
LV5 | 2400 海隅點(diǎn)數(shù) 100 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 4 訓(xùn)練芯片·戰(zhàn)略 4 儲(chǔ)源合金 |
LV6 | 3600 海隅點(diǎn)數(shù) 150 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 6 訓(xùn)練芯片·戰(zhàn)略 6 二元磁導(dǎo)插件 |
LV7 | 6000 海隅點(diǎn)數(shù) 200 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 8 訓(xùn)練芯片·戰(zhàn)略 2 卷礁 4 靛石 |
LV8 | 9000 海隅點(diǎn)數(shù) 250 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 10 訓(xùn)練芯片·戰(zhàn)略 4 光子質(zhì) 6 儲(chǔ)源合金 |
LV9 | 12000 海隅點(diǎn)數(shù) 300 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 5 訓(xùn)練芯片組·戰(zhàn)略 |
LV10 | 16000 海隅點(diǎn)數(shù) 400 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 6 訓(xùn)練芯片組·戰(zhàn)略 |
LV11 | |
LV12 | |
總計(jì) | 51700 海隅點(diǎn)數(shù) 2000 基礎(chǔ)硅片·戰(zhàn)略 28 訓(xùn)練芯片·戰(zhàn)略 11 訓(xùn)練芯片組·戰(zhàn)略 3 單級(jí)磁導(dǎo)插件 4 火山雪 3 蒼青薄片 6 二元磁導(dǎo)插件 3 復(fù)色基粒 4 靛石 10 儲(chǔ)源合金 2 卷礁 4 光子質(zhì) |


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