白荊回廊-霍冉
基礎(chǔ)屬性 | |||
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基礎(chǔ)減傷 | 20% | 暴擊率 | 15% |
射程 | 近 | ||
戰(zhàn)術(shù)移動(dòng) | 7秒冷卻 | ||
專精影響分支 | 增傷 | ||
位階 | 體質(zhì)加成 | 攻擊加成 | 專精加成 |
S0 | 70% | 99% | 73% |
S1 | 77% | 108% | 80% |
S2 | 80% | 113% | 84% |
S3 | 94% | 131% | 100% |
S4 | 105% | 146% | 112% |
S5 | 108% | 150% | 115% |
S6 | 112% | 155% | 119% |
體能特訓(xùn)加成 | |||
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項(xiàng)目 | 提升屬性 | 提升數(shù)值 | |
項(xiàng)目I | 階段I | 基礎(chǔ)體質(zhì) | 5% |
階段II | 基礎(chǔ)體質(zhì) | 5% | |
項(xiàng)目II | 階段I | 基礎(chǔ)攻擊 | 5% |
階段II | 基礎(chǔ)攻擊 | 10% | |
項(xiàng)目III | 階段I | 基礎(chǔ)專精 | 10% |
階段II | 基礎(chǔ)攻擊 | 5% |
漫巡初始技能 | ||
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破碎打擊當(dāng)擊破敵方單位格擋時(shí),對(duì)擊破目標(biāo)造成200%(等級(jí)1時(shí))/400%(等級(jí)2時(shí))/600%(等級(jí)3時(shí))刻印攻擊的【真實(shí)傷害】,并對(duì)目標(biāo)周圍400范圍內(nèi)其他敵方單位造成50%的傷害,該效果對(duì)每個(gè)目標(biāo)40秒最多觸發(fā)—次真實(shí)傷害:該類型傷害不受目標(biāo)的減傷或防御效果影響自動(dòng)瞄準(zhǔn)系統(tǒng)·方塊·α型提升12%(等級(jí)1時(shí))/20%(等級(jí)2時(shí))/28%(等級(jí)3時(shí))普通攻擊傷害,位于【干燥環(huán)境】時(shí),提升幅度翻倍。和【自動(dòng)瞄準(zhǔn)系統(tǒng)·方塊·β型】不疊加干燥環(huán)境:水元素地形蒸發(fā)速度加快,炎元素地形消失速度減緩敵人受到炎元素攻擊時(shí),有幾率在腳下產(chǎn)生炎元素地形部分刻印技能在干燥環(huán)境下能發(fā)揮更強(qiáng)的效果 | ||
漫巡技能上限解鎖位階 | ||
位階 | 技能1 | 技能2 |
S0 | 1級(jí)? | - |
S1 | 1級(jí)? | 1級(jí)?↑ |
S2 | 1級(jí)? | 2級(jí)?↑ |
S3 | 2級(jí)?↑ | 2級(jí)? |
S4 | 3級(jí)?↑ | 2級(jí)? |
S5 | 3級(jí)? | 3級(jí)?↑ |
蝕刻初始屬性 | |||||
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位階 | 作為隊(duì)長(zhǎng)時(shí)蝕刻初始屬性 | ||||
體質(zhì) | 防御 | 攻擊 | 專精 | 終端 | |
S0 | 40 | 40 | 40 | 40 | 40 |
S1 | 62 | 48 | 65 | 54 | 51 |
S2 | 105 | 64 | 116 | 83 | 72 |
S3 | 105 | 64 | 116 | 83 | 72 |
S4 | 126 | 72 | 141 | 98 | 83 |
S5 | 148 | 80 | 166 | 112 | 94 |
S6 | 148 | 80 | 166 | 112 | 94 |
穹頂技能 | |
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名稱 | 儲(chǔ)量擴(kuò)展+ |
效果 | 在初級(jí)研發(fā)室,倉(cāng)儲(chǔ)+5% |
警告!路牌!主動(dòng)技能 | LV12對(duì)單個(gè)目標(biāo)造成4500%最終攻擊的炎元素傷害,該次傷害附帶30%額外暴擊率提升,并使其[眩暈],持續(xù)6秒 |
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橫掃街頭自動(dòng)技能 | LV12對(duì)當(dāng)前目標(biāo)進(jìn)行三連擊,總計(jì)造成3750%最終攻擊的炎元素傷害 |
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無名怒火異核技能 | LV6增加自身120%攻擊力,40%暴擊率,9%~15%([防御依賴])基礎(chǔ)減傷,普通攻擊變?yōu)檠自貍Γ掷m(xù)30秒 |
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無畏戰(zhàn)斗特性 | 無畏戰(zhàn)斗特性普通攻擊射程200攻擊速度0.62次每秒單體 格擋條破壞1用路牌揮砍面前的目標(biāo),對(duì)其造成192%最終攻擊的物理傷害近戰(zhàn)范圍沒有敵人時(shí),向遠(yuǎn)處目標(biāo)扔出路牌,對(duì)敵人造成96%最終攻擊的物理傷害(遠(yuǎn)程攻擊不附帶格擋條破壞效果)戰(zhàn)斗特性擁有較強(qiáng)的單體輸出能力優(yōu)先攻擊精英及以上的敵方單位,造成的傷害總計(jì)提升20%,受到的傷害總計(jì)降低20%異核I級(jí)解鎖:主動(dòng)技能【警告!路牌!】破壞敵方單位格擋能力大幅提高,額外提高3段格擋條破壞異核III級(jí)解鎖:暴擊率提升25% |
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升階 | |
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等級(jí)提升至 | 消耗材料 |
S1 | 1000 海隅點(diǎn)數(shù) 2 貧質(zhì)合金 |
S2 | 2500 海隅點(diǎn)數(shù) 6 貧質(zhì)合金 4 火山雪 |
S3 | 6000 海隅點(diǎn)數(shù) 4 儲(chǔ)源合金 2 星砂 4 原旋動(dòng)力機(jī) |
S4 | 10000 海隅點(diǎn)數(shù) 6 穩(wěn)態(tài)合金 4 星砂 2 次生裝置 |
S5 | 15000 海隅點(diǎn)數(shù) 8 穩(wěn)態(tài)合金 3 卷礁 4 次生裝置 2 二元磁導(dǎo)插件 |
S6 | 20000 海隅點(diǎn)數(shù) 2 熵化合金 8 卷礁 3 多矩推進(jìn)器 4 二元磁導(dǎo)插件 |
總計(jì) | 54500 海隅點(diǎn)數(shù) 4 原旋動(dòng)力機(jī) 4 火山雪 8 貧質(zhì)合金 6 二元磁導(dǎo)插件 6 次生裝置 6 星砂 4 儲(chǔ)源合金 3 多矩推進(jìn)器 11 卷礁 14 穩(wěn)態(tài)合金 2 熵化合金 |
技能1升級(jí) | |
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等級(jí)提升至 | 消耗材料 |
LV2 | 600 海隅點(diǎn)數(shù) 100 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 3 自旋因子 |
LV3 | 900 海隅點(diǎn)數(shù) 200 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 4 單級(jí)磁導(dǎo)插件 |
LV4 | 1200 海隅點(diǎn)數(shù) 300 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 3 星砂 3 原旋動(dòng)力機(jī) |
LV5 | 2400 海隅點(diǎn)數(shù) 100 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 4 訓(xùn)練芯片·近戰(zhàn) 4 靛石 |
LV6 | 3600 海隅點(diǎn)數(shù) 150 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 6 訓(xùn)練芯片·近戰(zhàn) 6 復(fù)色基粒 |
LV7 | 6000 海隅點(diǎn)數(shù) 200 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 8 訓(xùn)練芯片·近戰(zhàn) 2 復(fù)合磁導(dǎo)插件 4 次生裝置 |
LV8 | 9000 海隅點(diǎn)數(shù) 250 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 10 訓(xùn)練芯片·近戰(zhàn) |
LV9 | 12000 海隅點(diǎn)數(shù) 300 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 5 訓(xùn)練芯片組·近戰(zhàn) |
LV10 | 16000 海隅點(diǎn)數(shù) 400 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 6 訓(xùn)練芯片組·近戰(zhàn) |
總計(jì) | 51700 海隅點(diǎn)數(shù) 2000 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 28 訓(xùn)練芯片·近戰(zhàn) 11 訓(xùn)練芯片組·近戰(zhàn) 4 單級(jí)磁導(dǎo)插件 3 原旋動(dòng)力機(jī) 3 自旋因子 4 次生裝置 3 星砂 6 復(fù)色基粒 4 靛石 2 復(fù)合磁導(dǎo)插件 |
技能2升級(jí) | |
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等級(jí)提升至 | 消耗材料 |
LV2 | 600 海隅點(diǎn)數(shù) 100 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 3 原旋動(dòng)力機(jī) |
LV3 | 900 海隅點(diǎn)數(shù) 200 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 4 靛石 |
LV4 | 1200 海隅點(diǎn)數(shù) 300 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 3 儲(chǔ)源合金 3 單級(jí)磁導(dǎo)插件 |
LV5 | 2400 海隅點(diǎn)數(shù) 100 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 4 訓(xùn)練芯片·近戰(zhàn) 4 星砂 |
LV6 | 3600 海隅點(diǎn)數(shù) 150 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 6 訓(xùn)練芯片·近戰(zhàn) 6 次生裝置 |
LV7 | 3600 海隅點(diǎn)數(shù) 200 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 8 訓(xùn)練芯片·近戰(zhàn) 2 黛晶 4 二元磁導(dǎo)插件 |
LV8 | 9000 海隅點(diǎn)數(shù) 250 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 10 訓(xùn)練芯片·近戰(zhàn) |
LV9 | 12000 海隅點(diǎn)數(shù) 300 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 5 訓(xùn)練芯片組·近戰(zhàn) |
LV10 | 16000 海隅點(diǎn)數(shù) 400 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 6 訓(xùn)練芯片組·近戰(zhàn) |
總計(jì) | 49300 海隅點(diǎn)數(shù) 2000 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 28 訓(xùn)練芯片·近戰(zhàn) 11 訓(xùn)練芯片組·近戰(zhàn) 3 單級(jí)磁導(dǎo)插件 3 原旋動(dòng)力機(jī) 4 二元磁導(dǎo)插件 6 次生裝置 4 星砂 4 靛石 3 儲(chǔ)源合金 2 黛晶 |


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