白荊回廊-馬爾斯
基礎(chǔ)屬性 | |||
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基礎(chǔ)減傷 | 20% | 暴擊率 | 15% |
射程 | 近 | ||
戰(zhàn)術(shù)移動 | 7秒冷卻 | ||
專精影響分支 | 增傷 | ||
位階 | 體質(zhì)加成 | 攻擊加成 | 專精加成 |
S0 | 70% | 96% | 76% |
S1 | 77% | 105% | 83% |
S2 | 80% | 110% | 87% |
S3 | 94% | 128% | 103% |
S4 | 105% | 143% | 115% |
S5 | 109% | 148% | 119% |
S6 | 112% | 152% | 122% |
體能特訓加成 | |||
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項目 | 提升屬性 | 提升數(shù)值 | |
項目I | 階段I | 基礎(chǔ)體質(zhì) | 5% |
階段II | 基礎(chǔ)體質(zhì) | 5% | |
項目II | 階段I | 基礎(chǔ)攻擊 | 5% |
階段II | 基礎(chǔ)攻擊 | 10% | |
項目III | 階段I | 基礎(chǔ)專精 | 10% |
階段II | 基礎(chǔ)攻擊 | 5% |
漫巡初始技能 | ||
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核心充能·方塊·α型初始異核充能回復12(等級1時)/18(等級2時)/24(等級3時)秒,位于【干燥環(huán)境】時,提升幅度翻倍。和【核心充能·方塊·β型】不疊加干燥環(huán)境:水元素地形蒸發(fā)速度加快,炎元素地形消失速度減緩敵人受到炎元素攻擊時,有幾率在腳下產(chǎn)生炎元素地形部分刻印技能在干燥環(huán)境下能發(fā)揮更強的效果無畏者同調(diào)者自身400范圍內(nèi)每增加一名敵人,提升10%(等級1時)/20%(等級2時)/30%(等級3時)傷害,最多提升100% | ||
漫巡技能上限解鎖位階 | ||
位階 | 技能1 | 技能2 |
S0 | 1級? | - |
S1 | 1級? | 1級?↑ |
S2 | 1級? | 2級?↑ |
S3 | 2級?↑ | 2級? |
S4 | 3級?↑ | 2級? |
S5 | 3級? | 3級?↑ |
蝕刻初始屬性 | |||||
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位階 | 作為隊長時蝕刻初始屬性 | ||||
體質(zhì) | 防御 | 攻擊 | 專精 | 終端 | |
S0 | 40 | 40 | 40 | 40 | 40 |
S1 | 62 | 48 | 58 | 54 | 58 |
S2 | 105 | 64 | 94 | 83 | 94 |
S3 | 105 | 64 | 94 | 83 | 94 |
S4 | 126 | 72 | 112 | 98 | 112 |
S5 | 148 | 80 | 130 | 112 | 130 |
S6 | 148 | 80 | 130 | 112 | 130 |
穹頂技能 | |
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名稱 | 提速線+ |
效果 | 在高級研發(fā)室,耗時-5% |
E.M.P干擾主動技能 | LV12對半徑400范圍內(nèi)的敵方造成750%最終攻擊的雷元素傷害,并使其雷元素抗性降低25%,持續(xù)15秒,同時破壞范圍內(nèi)的敵方防御屏障范圍內(nèi)機械飛行單位將會被擊落,馬爾斯會優(yōu)先攻擊被擊落的單位使用后立即激活自動技能【導電模塊】 |
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導電模塊自動技能 | LV12激活時普通攻擊變?yōu)槔自貍?,普通攻擊傷害提?90%,基礎(chǔ)攻擊速度提升50%,持續(xù)15秒 |
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電磁海嘯異核技能 | LV6對一條直線上的敵人造成4800%最終攻擊的雷元素傷害,可命中空中目標 |
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機械強攻戰(zhàn)斗特性 | 機械強攻戰(zhàn)斗特性普通攻擊射程200攻擊速度0.90次每秒單體 格擋條破壞1攻擊面前的目標造成133%最終攻擊的物理傷害戰(zhàn)斗特性技能可以命中空中目標對機械單位造成傷害提升30%異核I級解鎖:每次擊敗敵人將會獲得作戰(zhàn)數(shù)據(jù),基礎(chǔ)攻擊力增加3%,可疊加20次異核III級解鎖:攻擊機械單位時,暴擊傷害提高50% |
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升階 | |
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等級提升至 | 消耗材料 |
S1 | 2 貧質(zhì)合金 1000 海隅點數(shù) |
S2 | 2500 海隅點數(shù) 6 自旋因子 4 原旋動力機 |
S3 | 6000 海隅點數(shù) 4 復色基粒 2 次生裝置 4 單級磁導插件 |
S4 | 10000 海隅點數(shù) 6 光子質(zhì) 4 次生裝置 2 二元磁導插件 |
S5 | 15000 海隅點數(shù) 8 光子質(zhì) 3 多矩推進器 4 二元磁導插件 2 靛石 |
S6 | 20000 海隅點數(shù) 2 相位鏈 8 多矩推進器 3 復合磁導插件 4 靛石 |
總計 | 54500 海隅點數(shù) 4 單級磁導插件 4 原旋動力機 6 自旋因子 2 貧質(zhì)合金 6 二元磁導插件 6 次生裝置 4 復色基粒 6 靛石 3 復合磁導插件 11 多矩推進器 14 光子質(zhì) 2 相位鏈 |
技能1升級 | |
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等級提升至 | 消耗材料 |
LV2 | 600 海隅點數(shù) 100 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 3 火山雪 |
LV3 | 900 海隅點數(shù) 200 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 4 自旋因子 |
LV4 | 1200 海隅點數(shù) 300 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 3 二元磁導插件 3 貧質(zhì)合金 |
LV5 | 2400 海隅點數(shù) 100 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 4 訓練芯片·近戰(zhàn) 4 次生裝置 |
LV6 | 3600 海隅點數(shù) 150 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 6 訓練芯片·近戰(zhàn) 6 星砂 |
LV7 | 6000 海隅點數(shù) 200 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 8 訓練芯片·近戰(zhàn) 2 光子質(zhì) 4 儲源合金 |
LV8 | 9000 海隅點數(shù) 250 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 10 訓練芯片·近戰(zhàn) |
LV9 | 12000 海隅點數(shù) 300 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 5 訓練芯片組·近戰(zhàn) |
LV10 | 16000 海隅點數(shù) 400 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 6 訓練芯片組·近戰(zhàn) |
總計 | 51700 海隅點數(shù) 2000 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 28 訓練芯片·近戰(zhàn) 11 訓練芯片組·近戰(zhàn) 3 火山雪 4 自旋因子 3 貧質(zhì)合金 3 二元磁導插件 4 次生裝置 6 星砂 4 儲源合金 2 光子質(zhì) |
技能2升級 | |
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等級提升至 | 消耗材料 |
LV2 | 600 海隅點數(shù) 100 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 3 貧質(zhì)合金 |
LV3 | 900 海隅點數(shù) 200 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 4 原旋動力機 |
LV4 | 1200 海隅點數(shù) 300 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 3 靛石 3 自旋因子 |
LV5 | 2400 海隅點數(shù) 100 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 4 訓練芯片·近戰(zhàn) 4 二元磁導插件 |
LV6 | 3600 海隅點數(shù) 150 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 6 訓練芯片·近戰(zhàn) 6 儲源合金 |
LV7 | 6000 海隅點數(shù) 200 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 8 訓練芯片·近戰(zhàn) 2 多矩推進器 4 復色基粒 |
LV8 | 9000 海隅點數(shù) 250 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 10 訓練芯片·近戰(zhàn) |
LV9 | 12000 海隅點數(shù) 300 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 5 訓練芯片組·近戰(zhàn) |
LV10 | 16000 海隅點數(shù) 400 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 6 訓練芯片組·近戰(zhàn) |
總計 | 51700 海隅點數(shù) 2000 基礎(chǔ)硅片·近戰(zhàn) 28 訓練芯片·近戰(zhàn) 11 訓練芯片組·近戰(zhàn) 4 原旋動力機 3 自旋因子 3 貧質(zhì)合金 4 二元磁導插件 4 復色基粒 3 靛石 6 儲源合金 2 多矩推進器 |


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